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HGTP7N60A4
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HGTP7N60A4技术资料
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HGTP7N60A4
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 600V 34A TO220-3
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,HGTP7N60A4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTP7N60A4的技术资料下载
HGTP7N60A4的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:HGTP7N60A4
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 600V 34A TO220-3
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:最後搶購
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):34A
电流-集电极脉冲(Icm):56A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,7A
功率-最大值:125W
开关能量:55μJ(开),60μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:37nC
25°C时Td(开/关)值:11ns/100ns
测试条件:390V,7A,25 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
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