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HGTP7N60A4-F102
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HGTP7N60A4-F102价格
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HGTP7N60A4-F102技术资料
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HGTP7N60A4-F102
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 600V 34A TO220-3
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，HGTP7N60A4-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTP7N60A4-F102的技术资料下载
HGTP7N60A4-F102的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：HGTP7N60A4-F102
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 600V 34A TO220-3
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：34A
电流-集电极脉冲(Icm)：56A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，7A
功率-最大值：125W
开关能量：55μJ（开），150μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：60nC
25°C时Td（开/关）值：11ns/100ns
测试条件：390V，7A，25 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
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