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HGTP7N60B3D
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HGTP7N60B3D技术资料
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HGTP7N60B3D
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 600V 14A 60W TO220AB
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，HGTP7N60B3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTP7N60B3D的技术资料下载
HGTP7N60B3D的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：HGTP7N60B3D
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 600V 14A 60W TO220AB
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：14A
电流-集电极脉冲(Icm)：56A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A
功率-最大值：60W
开关能量：160μJ（开），120μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：23nC
25°C时Td（开/关）值：26ns/130ns
测试条件：480V，7A，50欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：37ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
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