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NTBG060N090SC1
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NTBG060N090SC1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
原厂封装:
封装:D2PAK-7
优势价格,NTBG060N090SC1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTBG060N090SC1的技术资料下载
NTBG060N090SC1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NTBG060N090SC1
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:D2PAK-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A(Ta),44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):84 毫欧 @ 20A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):88 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+19V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1800 pF @ 450 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.6W(Ta),211W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK-7
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
想获取NTBG060N090SC1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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