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PCISL9R860W的图片

PCISL9R860W

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT PCISL9R860W
原厂封装：封装：-
优势价格，PCISL9R860W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PCISL9R860W的技术资料下载
电话询问价格
PCISL9R860W的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：PCISL9R860W
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT PCISL9R860W
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：最後
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：-
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：-
  • 功率-最大值：-
  • 开关能量：-
  • 输入类型：-
  • 栅极电荷：-
  • 25°C时Td（开/关）值：-
  • 测试条件：-
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：-
  • 封装：-
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