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NVMYS3D3N06CLTWG

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:安森美(ONSEMI)
功能简述:MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
原厂封装:4-LFPAK
优势价格,NVMYS3D3N06CLTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVMYS3D3N06CLTWG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号:NVMYS3D3N06CLTWG
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):26A(Ta),133A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):40.7nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2880pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.9W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:4-LFPAK
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