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FGD3050G2V
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FGD3050G2V技术资料
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FGD3050G2V
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 500V 27A DPAK-3
原厂封装:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
优势价格,FGD3050G2V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FGD3050G2V的技术资料下载
FGD3050G2V的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FGD3050G2V
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 500V 27A DPAK-3
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:*
零件状态:有源
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):500V
电流-集电极(Ic)(最大值):32A
电流-集电极脉冲(Icm):-
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.2V @ 4V,6A
功率-最大值:150W
开关能量:-
输入类型:逻辑
栅极电荷:22nC
25°C时Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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