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NVMFD5C478NT1G
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NVMFD5C478NT1G技术资料
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NVMFD5C478NT1G
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL
原厂封装：
8-PowerTDFN
优势价格，NVMFD5C478NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFD5C478NT1G的技术资料下载
NVMFD5C478NT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：NVMFD5C478NT1G
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：40V 17 MOHM T6 S08FL DUAL
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：40V
25°C时电流-连续漏极(Id)：9.8A（Ta），27A（Tc）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 7.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 20μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.3nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：325pF @ 25V
功率-最大值：3.1W（Ta），23W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerTDFN
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