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NTNS3A65PZT5G
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NTNS3A65PZT5G技术资料
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NTNS3A65PZT5G
单端场效应管
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET P-CH 20V 235MA SOT883
原厂封装：
SOT-883
优势价格，NTNS3A65PZT5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTNS3A65PZT5G的技术资料下载
NTNS3A65PZT5G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NTNS3A65PZT5G
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET P-CH 20V 235MA SOT883
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：281mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.3 欧姆 @ 200mA， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：44pF @ 10V
功率 - 最大值：155mW
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：SC-101，SOT-883
器件封装：SOT-883 （XDFN3） （1x0.6）
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