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MVGSF1N02LT1G的图片

MVGSF1N02LT1G

单端场效应管

制造厂商：安森美半导体(ON Semiconductor)

功能简述：MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3

原厂封装：SOT-23-3

优势价格，MVGSF1N02LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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MVGSF1N02LT1G的功能参数资料 - 安森美(ON)提供

ON安森美标准型号：MVGSF1N02LT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：750mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 1.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：125pF @ 5V

功率 - 最大值：400mW

安装类型：表面贴装

ON安森美封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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