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HGTG10N120BND
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HGTG10N120BND价格
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HGTG10N120BND技术资料
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HGTG10N120BND
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，HGTG10N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HGTG10N120BND的技术资料下载
HGTG10N120BND的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：HGTG10N120BND
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：不適用於新設計
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
电流-集电极脉冲(Icm)：80A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
功率-最大值：298W
开关能量：850μJ（开），800μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：100nC
25°C时Td（开/关）值：23ns/165ns
测试条件：960V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：70ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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