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HGTG12N60C3D的图片

HGTG12N60C3D

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 600V 24A 104W TO247

原厂封装：TO-247-3

优势价格，HGTG12N60C3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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HGTG12N60C3D的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：HGTG12N60C3D

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 600V 24A 104W TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：最後搶購

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：24A

电流-集电极脉冲(Icm)：96A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，15A

功率-最大值：104W

开关能量：380μJ（开），900μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：48nC

25°C时Td（开/关）值：-

测试条件：-

反向恢复时间(trr)：42ns

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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