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FW231A-TL-E
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FW231A-TL-E技术资料
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FW231A-TL-E
FET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP
原厂封装:
8-SOIC
优势价格,FW231A-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FW231A-TL-E的技术资料下载
FW231A-TL-E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号: FW231A-TL-E
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 23 毫欧 @ 8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1530pF @ 10V
功率 - 最大值: 2.3W
安装类型: 表面贴装
产品封装: 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
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