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    NXH100B120H3Q0STG的图片

    NXH100B120H3Q0STG

    安森美(ONSEMI)图标
    晶体管 - IGBT - 模块
    制造厂商：安森美(ONSEMI)
    功能简述：IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
    原厂封装：模块
    优势价格，NXH100B120H3Q0STG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NXH100B120H3Q0STG的技术资料下载
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    NXH100B120H3Q0STG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NXH100B120H3Q0STG
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 配置：2 个独立式
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
  • 功率-最大值：186W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A
  • 电流-集电极截止（最大值）：200μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies)：9.075nF @ 20V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：模块
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