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FPF1C2P5BF07A
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FPF1C2P5BF07A技术资料
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FPF1C2P5BF07A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
原厂封装:
F1 模块
优势价格,FPF1C2P5BF07A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FPF1C2P5BF07A的技术资料下载
FPF1C2P5BF07A的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FPF1C2P5BF07A
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:5 N 沟道(太阳能逆变器)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):650V
25°C时电流-连续漏极(Id):36A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 27A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
功率-最大值:250W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:F1 模块
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