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NTLJD3119CTBG
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NTLJD3119CTBG技术资料
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NTLJD3119CTBG
场效应管阵列
制造厂商：
安森美半导体(ON Semiconductor)
功能简述：
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
原厂封装：
6-WDFN
优势价格，NTLJD3119CTBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTLJD3119CTBG的技术资料下载
NTLJD3119CTBG的功能参数资料 - 安森美(ON)提供
ON安森美标准型号：NTLJD3119CTBG
制造厂家名称：ON Semiconductor
描述：MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
系列：μCool?
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A，2.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 3.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：271pF @ 10V
功率 - 最大值：710mW
安装类型：表面贴装
ON安森美封装：6-WDFN 裸露焊盘
器件封装：6-WDFN（2x2）
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