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FDR8305N
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FDR8305N技术资料
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FDR8305N
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
原厂封装：
8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
优势价格，FDR8305N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDR8305N的技术资料下载
FDR8305N的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：FDR8305N
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：PowerTrench?
零件状态：停产
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1600pF @ 10V
功率-最大值：800mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
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