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FDMD8680
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FDMD8680技术资料
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FDMD8680
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
原厂封装:
8-PowerWDFN
优势价格,FDMD8680的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FDMD8680的技术资料下载
FDMD8680的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:FDMD8680
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):80V
25°C时电流-连续漏极(Id):66A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.7 毫欧 @ 16A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):73nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5330pF @ 40V
功率-最大值:39W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerWDFN
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