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SZESD8351MUT5G
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SZESD8351MUT5G技术资料
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SZESD8351MUT5G
TVS - 二极管
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TVS DIODE 3.3V 11.2V 2X3DFN
原厂封装:
0201(0603 公制)
优势价格,SZESD8351MUT5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SZESD8351MUT5G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:SZESD8351MUT5G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TVS DIODE 3.3V 11.2V 2X3DFN
系列:TVS - 二极管
产品系列:Automotive, AEC-Q101
零件状态:有源
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压-反向断态(典型值):3.3V(最大)
电压-击穿(最小值):5.5V
不同Ipp时电压-箝位(最大值):11.2V
电流-峰值脉冲(10/1000μs):5A(8/20μs)
功率-峰值脉冲:-
电源线路保护:无
应用:汽车级
不同频率时电容:0.37pF @ 1MHz
工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:0201(0603 公制)
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