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SYC0102BLT1G
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SYC0102BLT1G技术资料
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SYC0102BLT1G
FET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
SCR 0.25A GATE SCR
原厂封装:
None
优势价格,SYC0102BLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SYC0102BLT1G的技术资料下载
SYC0102BLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号: SYC0102BLT1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
功能总体简述: SCR 0.25A GATE SCR
系列: *
FET 类型:
FET 功能:
漏源极电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):
功率 - 最大值:
安装类型:
产品封装:
供应商器件封装:
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