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SNXH80T120L2Q0P2G
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SNXH80T120L2Q0P2G技术资料
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SNXH80T120L2Q0P2G
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IC MODULE PIM 1200V 80A
原厂封装:
模块
优势价格,SNXH80T120L2Q0P2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SNXH80T120L2Q0P2G的技术资料下载
SNXH80T120L2Q0P2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:SNXH80T120L2Q0P2G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IC MODULE PIM 1200V 80A
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
配置:三级反相器
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):67A
功率-最大值:158W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.85V @ 15V,80A
电流-集电极截止(最大值):300μA
不同?Vce时输入电容(Cies):19.4nF @ 20V
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:模块
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