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SMUN5113DW1T1G
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SMUN5113DW1T1G价格
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SMUN5113DW1T1G技术资料
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SMUN5113DW1T1G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
原厂封装:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
优势价格,SMUN5113DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SMUN5113DW1T1G的技术资料下载
SMUN5113DW1T1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:SMUN5113DW1T1G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
零件状态:有源
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
电压-集射极击穿(最大值):50V
电阻器-基极(R1):47 千欧
电阻器-发射极(R2):47 千欧
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
电流-集电极截止(最大值):500nA
频率-跃迁:-
功率-最大值:187mW
安装类型:表面贴装型
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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