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SMMJT350T3G
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SMMJT350T3G技术资料
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SMMJT350T3G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
原厂封装:
TO-261-4,TO-261AA
优势价格,SMMJT350T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SMMJT350T3G的技术资料下载
SMMJT350T3G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:SMMJT350T3G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
产品系列:Automotive, AEC-Q101
零件状态:有源
晶体管类型:PNP
电流-集电极(Ic)(最大值):500mA
电压-集射极击穿(最大值):300V
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):-
电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V
功率-最大值:2.75W
频率-跃迁:-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-261-4,TO-261AA
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