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SGS5N60RUFDTU
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SGS5N60RUFDTU价格
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SGS5N60RUFDTU技术资料
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SGS5N60RUFDTU
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 600V 8A 35W TO220F
原厂封装：
TO-220-3 整包
优势价格，SGS5N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SGS5N60RUFDTU的技术资料下载
SGS5N60RUFDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：SGS5N60RUFDTU
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 600V 8A 35W TO220F
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：8A
电流-集电极脉冲(Icm)：15A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，5A
功率-最大值：35W
开关能量：88μJ（开），107μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：16nC
25°C时Td（开/关）值：13ns/34ns
测试条件：300V，5A，40 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：55ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
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