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SGR2N60UFDTM
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SGR2N60UFDTM价格
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SGR2N60UFDTM技术资料
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SGR2N60UFDTM
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
原厂封装:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
优势价格,SGR2N60UFDTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SGR2N60UFDTM的技术资料下载
SGR2N60UFDTM的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:SGR2N60UFDTM
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):2.4A
电流-集电极脉冲(Icm):10A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,1.2A
功率-最大值:25W
开关能量:30J(开),13J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:9nC
25°C时Td(开/关)值:15ns/80ns
测试条件:300V,1.2A,200 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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