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SGH80N60UFDTU的图片

SGH80N60UFDTU

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：安森美(ONSEMI)

功能简述：IGBT 600V 80A 195W TO3P

原厂封装：TO-3P-3，SC-65-3

优势价格，SGH80N60UFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

SGH80N60UFDTU的技术资料下载

电话询问价格

SGH80N60UFDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供

制造商产品型号：SGH80N60UFDTU

制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）

描述：IGBT 600V 80A 195W TO3P

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：80A

电流-集电极脉冲(Icm)：220A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，40A

功率-最大值：195W

开关能量：570μJ（开），590μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：175nC

25°C时Td（开/关）值：23ns/90ns

测试条件：300V，40A，5 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：95ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-3P-3，SC-65-3

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