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SGH10N60RUFDTU
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SGH10N60RUFDTU价格
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SGH10N60RUFDTU技术资料
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SGH10N60RUFDTU
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
IGBT 600V 16A 75W TO3P
原厂封装：
TO-3P-3，SC-65-3
优势价格，SGH10N60RUFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SGH10N60RUFDTU的技术资料下载
SGH10N60RUFDTU的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：SGH10N60RUFDTU
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：IGBT 600V 16A 75W TO3P
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：不適用於新設計
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：16A
电流-集电极脉冲(Icm)：30A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，10A
功率-最大值：75W
开关能量：141μJ（开），215μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：30nC
25°C时Td（开/关）值：15ns/36ns
测试条件：300V，10A，20 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：60ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
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