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RFP2N10L
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RFP2N10L技术资料
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RFP2N10L
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
安森美(ONSEMI)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 2A TO220-3
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，RFP2N10L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RFP2N10L的技术资料下载
RFP2N10L的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号：RFP2N10L
制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
描述：MOSFET N-CH 100V 2A TO220-3
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：2A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.05 欧姆 @ 2A，5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：200pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：25W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-220-3
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