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PCISL9R860W
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PCISL9R860W技术资料
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PCISL9R860W
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT PCISL9R860W
原厂封装:
-
优势价格,PCISL9R860W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PCISL9R860W的技术资料下载
PCISL9R860W的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号:PCISL9R860W
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:IGBT PCISL9R860W
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:最後搶購
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):-
电流-集电极(Ic)(最大值):-
电流-集电极脉冲(Icm):-
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):-
功率-最大值:-
开关能量:-
输入类型:-
栅极电荷:-
25°C时Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-
安装类型:-
封装:-
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