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| UHB100SC12E1BC3N的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
UHB100SC12E1BC3N的图片

UHB100SC12E1BC3N

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
原厂封装：封装:模块
优势价格，UHB100SC12E1BC3N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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UHB100SC12E1BC3N的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:UHB100SC12E1BC3N
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:模块
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:2 P 沟道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 70A，12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:6V @ 40mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:170nC @ 15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5859pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:417W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块
  • 想获取UHB100SC12E1BC3N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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