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RFD3055LEA
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
RFD3055LEA
FET - 单
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
原厂封装:
TO-252-3,DPak
优势价格,RFD3055LEA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RFD3055LEA的技术资料下载
RFD3055LEA的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
制造商产品型号: RFD3055LEA
制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 11A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 107 毫欧 @ 8A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 11.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 350pF @ 25V
功率 - 最大值: 38W
安装类型: 表面贴装
产品封装: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252AA
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