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PN100_G的图片

PN100_G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：INTEGRATED CIRCUIT
原厂封装：封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
优势价格，PN100_G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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PN100_G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：PN100_G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：INTEGRATED CIRCUIT
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：45V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：400mV @ 20mA，200mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：50nA
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 150mA，5V
  • 功率-最大值：625mW
  • 频率-跃迁：250MHz
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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