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NXH80B120H2Q0SNG

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT MOD 1200V 41A 103W 22-PIM
原厂封装：封装:22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
优势价格，NXH80B120H2Q0SNG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NXH80B120H2Q0SNG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NXH80B120H2Q0SNG
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 1200V 41A 103W 22-PIM
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 配置:双路升压斩波器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:41 A
  • 功率 - 最大值:103 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:200 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):9.7 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
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