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NXH50C120L2C2ES1G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NXH50C120L2C2ES1G
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
原厂封装:
封装:26-DIP
优势价格,NXH50C120L2C2ES1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NXH50C120L2C2ES1G的技术资料下载
NXH50C120L2C2ES1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NXH50C120L2C2ES1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:26-DIP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
系列:-
包装:散装
产品状态:停产
IGBT 类型:-
配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A
功率 - 最大值:20 mW
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值):250 A
不同Vce 时输入电容 (Cies):11.89 nF @ 20 V
输入:三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:26-PowerDIP 模块(1,199,47,20mm)
供应商器件封装:26-DIP
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