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NXH35C120L2C2S1G

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT MOD 1200V 35A 20MW 26-DIP
原厂封装：封装:26-DIP
优势价格，NXH35C120L2C2S1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NXH35C120L2C2S1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NXH35C120L2C2S1G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:26-DIP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 1200V 35A 20MW 26-DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 配置:三相反相器，带制动器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
  • 功率 - 最大值:20 mW
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，35A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:250 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):8.33 nF @ 20 V
  • 输入:三相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
  • 供应商器件封装:26-DIP
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