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NXH350N100H4Q2F2S1G-R
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NXH350N100H4Q2F2S1G-R
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
原厂封装:
封装:42-PIM/Q2PACK(93x47)
优势价格,NXH350N100H4Q2F2S1G-R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NXH350N100H4Q2F2S1G-R的技术资料下载
NXH350N100H4Q2F2S1G-R的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NXH350N100H4Q2F2S1G-R
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:42-PIM/Q2PACK(93x47)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):1000 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):303 A
功率 - 最大值:592 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,375A
电流 - 集电极截止(最大值):1 mA
不同Vce 时输入电容 (Cies):24.146 nF @ 20 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:42-PIM/Q2PACK(93x47)
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