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NXH200T120H3Q2F2STNG

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：IGBT MOD 650V 330A 679W 56-PIM
原厂封装：封装:56-PIM/Q2PACK（93x47）
优势价格，NXH200T120H3Q2F2STNG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NXH200T120H3Q2F2STNG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NXH200T120H3Q2F2STNG
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:56-PIM/Q2PACK（93x47）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MOD 650V 330A 679W 56-PIM
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:半桥
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:330 A
  • 功率 - 最大值:679 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，200A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):35.615 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:56-PIM/Q2PACK（93x47）
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