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NXH015F120M3F1PTG

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI
原厂封装：封装:22-PIM（33.8x42.5）
优势价格，NXH015F120M3F1PTG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NXH015F120M3F1PTG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NXH015F120M3F1PTG
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:22-PIM（33.8x42.5）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:4 N 沟道（全桥）
  • FET 功能:耗尽模式
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):77A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 60A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.4V @ 30mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:211nC @ 18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4696pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:198W（Tj）
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:22-PIM（33.8x42.5）
  • 想获取NXH015F120M3F1PTG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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