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NXH003P120M3F2PTNG
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NXH003P120M3F2PTNG
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
原厂封装:
封装:36-PIM(56.7x62.8)
优势价格,NXH003P120M3F2PTNG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NXH003P120M3F2PTNG的技术资料下载
NXH003P120M3F2PTNG的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NXH003P120M3F2PTNG
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:36-PIM(56.7x62.8)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
系列:-
包装:托盘
产品状态:在售
技术:碳化硅(SiC)
配置:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):435A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 200A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 160mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1200nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):20889pF @ 800V
功率 - 最大值:1480W(Tj)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:36-PIM(56.7x62.8)
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