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| NVMS10P02R2G的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NVMS10P02R2G的图片

NVMS10P02R2G

安森美(ONSEMI)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
原厂封装：器件封装：8-SOIC
优势价格，NVMS10P02R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVMS10P02R2G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 制造商产品型号：NVMS10P02R2G
  • 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
  • 想获取NVMS10P02R2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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