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NVMFWS6D2N08XT1G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NVMFWS6D2N08XT1G
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
原厂封装:
封装:5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
优势价格,NVMFWS6D2N08XT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFWS6D2N08XT1G的技术资料下载
NVMFWS6D2N08XT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NVMFWS6D2N08XT1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):71A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.2 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 75A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1330 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):68W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装:5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线
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