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NVMFWS3D6N10MCLT1G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NVMFWS3D6N10MCLT1G
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
原厂封装:
封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
优势价格,NVMFWS3D6N10MCLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVMFWS3D6N10MCLT1G的技术资料下载
NVMFWS3D6N10MCLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NVMFWS3D6N10MCLT1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta),132A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.6 毫欧 @ 48A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 270A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):60 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4411 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.2W(Ta),139W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线
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