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| NVMFD6H852NLT1G的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
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NVMFD6H852NLT1G

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
原厂封装：封装:8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
优势价格，NVMFD6H852NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NVMFD6H852NLT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NVMFD6H852NLT1G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:80V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta），25A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25.5 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 26A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:521pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:3.2W（Ta），38W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
  • 想获取NVMFD6H852NLT1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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