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NVH4L025N065SC1
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NVH4L025N065SC1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
SIC MOS TO247-4L 650V
原厂封装:
封装:TO-247-4L
优势价格,NVH4L025N065SC1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVH4L025N065SC1的技术资料下载
NVH4L025N065SC1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NVH4L025N065SC1
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:TO-247-4L
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:SIC MOS TO247-4L 650V
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):99A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28.5 毫欧 @ 45A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 15.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):164 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3480 pF @ 325 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):348W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4L
封装/外壳:TO-247-4
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