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NVC5C426NK8
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NVC5C426NK8
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
HV MODULES BARE DIE SJ
原厂封装:
封装:模具
优势价格,NVC5C426NK8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVC5C426NK8的技术资料下载
NVC5C426NK8的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NVC5C426NK8
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:模具
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:HV MODULES BARE DIE SJ
系列:-
包装:散装
产品状态:南皇电子 停止提供
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):65 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:模具
封装/外壳:模具
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