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NVBG020N120SC1
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NVBG020N120SC1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
原厂封装:
封装:D2PAK-7
优势价格,NVBG020N120SC1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NVBG020N120SC1的技术资料下载
NVBG020N120SC1的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NVBG020N120SC1
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:D2PAK-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A(Ta),98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28毫欧 @ 60A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):220 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2943 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.7W(Ta),468W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK-7
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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