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NTTFD1D8N02P1E

安森美(ONSEMI)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：安森美(ONSEMI)
功能简述：MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
原厂封装：封装:8-PQFN（3.3x3.3）
优势价格，NTTFD1D8N02P1E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NTTFD1D8N02P1E的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
  • 型号:NTTFD1D8N02P1E
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-PQFN（3.3x3.3）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），21A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 15A，10V，1.4 毫欧 @ 29A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 190A，2V @ 310A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5nC @ 4.5V，17nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:873pF @ 15V，2700pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:800mW（Ta），900mW（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装:8-PQFN（3.3x3.3）
  • 想获取NTTFD1D8N02P1E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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