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NTR2101PT1G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NTR2101PT1G
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
原厂封装:
封装:SOT-23-3(TO-236)
优势价格,NTR2101PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTR2101PT1G的技术资料下载
NTR2101PT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NTR2101PT1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 8V SOT23-3
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):52 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1173 pF @ 4 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):960mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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