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NTMFS0D8N02P1ET1G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NTMFS0D8N02P1ET1G
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
原厂封装:
封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
优势价格,NTMFS0D8N02P1ET1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMFS0D8N02P1ET1G的技术资料下载
NTMFS0D8N02P1ET1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NTMFS0D8N02P1ET1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Ta),365A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):0.68 毫欧 @ 46A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):52 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):+16V,-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8600 pF @ 13 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.2W(Ta),139W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线
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