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NTMFD4C820NAT1G
的报价和技术资料 - 安森美(ONSEMI)授权中国代理商 |
NTMFD4C820NAT1G
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
安森美(ONSEMI)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 8DFN
原厂封装:
封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)
优势价格,NTMFD4C820NAT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NTMFD4C820NAT1G的技术资料下载
NTMFD4C820NAT1G的功能参数资料 - 安森美公司(ONSEMI)提供
型号:NTMFD4C820NAT1G
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.1A 8DFN
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A(Ta),13.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.3 毫欧 @ 10A,10V,3.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19nC @ 10V,29nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):970pF @ 15V,1950pF @ 15V
功率 - 最大值:1.09W(Ta),1.15W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)
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